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Onduleurs à onde sinusoïdale et différence inverter onde modifiée

À l’heure actuelle, les systèmes de génération photovoltaïque domestique de l’énergie (photovoltaïque, dénommé PVS) est principalement dominé par des systèmes à courant continu, mais l’échange plus courant de la charge de l’électricité est à la charge, ce qui rend difficile pour la vulgarisation de centrales photovoltaïques courant continu comme une marchandise. Pendant ce temps, raccordés au réseau solaire PV peut épargner piles et entretien simple, sauver la génération d’énergie photovoltaïque, tendances de l’investissement. Ceux-ci doivent utiliser d’alimentation AC, application de l’onduleur en PVS devenue plus importante.

Dans les petits volumes et basse pression en PVS, puissance de périphériques à l’aide de métal-oxyde-semiconducteur transistor à effet de champ (MOSFET). En raison de sa basse pression, a une tension inférieure à l’État baisse à des fréquences de commutation supérieurs, mais avec la montée de la tension MOSFET, augmentant la résistance à l’État. Par conséquent, grande capacité, haute pression dans le PVS, utilisation transistor à grille isolée (IGBT) alimentation dispositifs 100kVA extra capacité en PVS, utilisent généralement le gate Turn-off thyristor (GTO) comme un dispositif de puissance.